顾名思义，发出深紫外线（也称短波紫外线）的LED被称为深紫外LED。对于半导体领域最新技术成就，我们把波长在400-100纳米（即紫外线波段）的发光二极管（Light Emitting Diode）器件，统称为紫外LED（UV LED），根据发光波长细分为：

■ UVA LED，其发光为波长400-315纳米的UVA紫外线，又称为近紫外LED

■ UVB LED，其发光为波长315-280纳米的UVB紫外线

■ UVC LED，其发光为波长280-200纳米的UVC紫外线

其中深紫外LED（Deep UV LED）是近几年逐渐成熟起来的半导体技术，也是整个半导体领域的最热点技术之一，其器件制备和应用是目前LED领域最尖端的技术成果。

请务必注意，由UVC紫外线杀菌原理可知，在所有的UV LED中，只有波长在280-200纳米范围内的UVC LED才具备紫外线照射杀菌功能UVGI（Ultraviolet-C Germicidal Irradiation），其它波段LED都不具备真实有效的杀菌功能。

目前大功率UVC LED

【UV LED结构及工艺】

与常见的可见光LED（用于照明）相比，深紫外LED在材料、工艺和应用方面有明显区别和技术门槛。作为半导体材料领域最尖端之一的III族氮化物是目前所知的最理想、覆盖光谱最全的全固态紫外发光材料。III族氮化物随着铝(Al)组分的增加，发光波长将逐步从可见光移向紫外光(UV)，纯的氮化铝（AlN,铝组分100%）的发光波长为203nm（nm）。铝镓氮合金(AlGaN)发光波长可覆盖203-400nm的光谱，覆盖了UVA、UVB和UVC三个波段的紫外线。其中后两者相较第一种，在材料和工艺上有较高难度。

深紫外LED结构和早期实物